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静电吸盘E-Chuck小记

静电吸盘/静电夹具(electrostatic chuck,E-Chuck,ESC)是一种利用人为地产生静电力来夹持、固定和拾取工件(workpiece)的夹具。

图片来源:creative-technology

与机械夹具相比,它有如下特点:

  • 非机械夹持:通过静电力固定物体,避免了传统夹具的物理压力,保护精密材料并节省空间。
  • 均匀夹持力:提供一致的夹持力,确保物体稳定并保持平整,优于真空夹具。
  • 温度控制:通过电力调节基板温度,确保最佳加工条件,减少热应力。
  • 多功能性:适用于各种材料、形状和尺寸,提供灵活的夹持解决方案。
  • 减少粒子污染:避免物理接触,降低洁净室中的粒子污染风险,关键于半导体制造。

结构

struct

图片来源:shinko

  • Ceramic Disk(陶瓷盘):晶圆直接与之接触并被吸附
  • Electrode(电极):施加电压产生电场,从而使物体吸附在盘上。
  • Heater(加热器):用于控制静电吸盘的温度
  • Baseplate(底板):提供结构支撑

类型

特性 库仑型 (Coulombic) 约翰森-拉布克型 (Johnsen-Rahbek)
工作原理 基于库仑定律,电荷间的吸引力;施加直流电压,诱发物体表面相反电荷。 使用交流电压在电介质表面产生高导电状态,依靠电流流动夹持物体。
电源 直流 交流
介电层 绝缘材料 具有导电性
接触要求 不依赖物理接触,电场作用即可。 需要物体表面与电介质有接触,表面不平整时可能无法有效夹持。
夹持力 夹持力较为均匀,适合精确夹持。 在接触区域产生较强的夹持力,但如果接触不良,夹持力较弱。

加热/水冷

保持温度均一性很重要

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图片来源:upt-co

Dechuck

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陶瓷(Ceramics)

一般用到氧化铝或氮化铝陶瓷。什么是陶瓷?先看一下材料分类:

材料类型 (Material Type) 主要特点 (Key Characteristics) 典型材料 (Typical Materials)
金属材料 (Metals) - 导电性和导热性好
- 延展性强
- 高强度
铁 (Iron), 铜 (Copper), 铝 (Aluminum), 钢 (Steel)
陶瓷材料 (Ceramics) - 高硬度、耐高温
- 良好的耐腐蚀性
- 脆性较大
氧化铝 (Aluminum Oxide), 氮化硅 (Silicon Nitride), 陶瓷 (Ceramics)
聚合物材料 (Polymers) - 轻质
- 柔韧性强
- 良好的耐化学腐蚀性
- 可塑性强
塑料 (Plastic), 橡胶 (Rubber), 纤维 (Fibers), 尼龙 (Nylon)
复合材料 (Composites) - 轻质高强
- 耐腐蚀、耐高温
- 设计灵活、性能可定制
玻璃钢 (Fiberglass), 碳纤维复合材料 (Carbon Fiber Composites), 木材复合材料 (Wood Composites)
半导体材料 (Semiconductors) - 可控电导性
- 对外界环境敏感
硅 (Silicon), 锗 (Germanium), 氮化镓 (Gallium Nitride)

“Ceramics” 这个词来源于希腊语“keramos”,意思是“陶土”或“粘土”。它指的是通过高温烧制的无机非金属材料,通常由粘土、石英、长石和其他天然矿物质组成。

参考

  • https://www.shinko.co.jp/english/product/equipment/esc.php
  • https://creative-technology.co.jp/esc-e/
  • https://creative-technology.co.jp/esc-e/genri-e/
  • https://www.electrogrip.com/egrip2023/support/assets/Principles7_3faq.pdf
  • https://www.spellmanhv.com/en/high-voltage-power-supplies/Industries/Applications/E-Chuck
  • https://www.advancedenergy.com/en-us/products/high-voltage-power-supplies/e-chuck/
  • https://www.matsusada.com/application/ps/electrostatic_chuck/
  • https://patents.google.com/patent/CN102160167B/zh
  • https://www.jstage.jst.go.jp/article/pfr/3/0/3_0_051/_pdf

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